后生长铟掺杂的高迁移率液相外延HgCdTe  

作　　者：Koppel,P 高国龙 

出　　处：《红外》1991年第4期1-9,共9页Infrared

关 键 词：HGCDTE 铟 掺杂 迁移率 液相外延层 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学]