HgCdTe光导探测器的优化设计  

Optimization of HgCdTe Photoconductive Detectors

作　　者：辛志君 

机构地区：[1]昆明物理研究所

出　　处：《红外技术》1991年第3期4-10,共7页Infrared Technology

摘　　要：利用牛顿迭代法,在一维理论的基础上,计算机模拟优化设计了工作在8～14μm波段HgCdTe光导探测器的各项参数。结果表明,器件厚度取6μm,长度取100～150μm,环氧树脂胶粘层<3μm,净掺杂浓度取1.4×10^(15)cm^(-3),表面复合速度取500cm/s,电场强度取10V/cm为佳。该法亦可使用于其他光导探测器的优化设计中。The optimized parameters of 8～14μm PC HgCdTe detectors have been calculated with Newtonian iteration method based on 1-D model. The results suggest the thickness of detectors should take 6μm, the length 100～150 μm, the epoxy bonding layer<3 μm, the net doping concentration 1.4×10^(15)cm^(-3), the surface recombination-velocity 500 cm/s and the electric field 10 V/cm. The method may extend to other PC detectors.

关 键 词：HGCDTE 光导探测器 红外探测器 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]