Sm离子在SrS∶Eu,Sm电子俘获过程中的作用  

作　　者：何志毅[1] 王永生[1] 孙力[1] 侯延冰[1] 徐叙瑢[1] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所,北京100044

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第4期366-372,共7页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :198740 0 1)

摘　　要：测量了SrS∶Eu ,Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异 ,由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布 ,通过在近红外区Sm3 +的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化 ,并发现Sm3 +的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象 .提出了在SrS∶Eu ,Sm中陷阱的构成机制及Sm3 +离子在其中的地位 ,考察了Sm浓度对光存储量的影响 ,并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法 .

关 键 词：电子俘获 电子陷阱 兴存储材料 钐 陷阱饱和 吸收光谱 铕 硫化锶 空穴分布 

分 类 号：TQ591[化学工程—精细化工]