电子陷阱对光电子的影响  

Effects of the Electron Trap on the Photoelectron

作　　者：李晓苇[1] 胡小永[1] 傅广生[1] 杨少鹏[1] 张连水[1] 董丽芳[1] 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,保定071002

出　　处：《信息记录材料》2001年第2期35-38,共4页Information Recording Materials

基　　金：河北省自然科学基金资助项目 (199104)

摘　　要：详细介绍了电子陷阱的概念以及电子陷阱对自由光电子的束缚过程。给出了电子陷阱深度与光电子寿命之间的对应关系，并分析了起主要作用的反应过程。The conception of electron trap and the process of free photoelectron trapping are introduced in detail. The relations between electron trap and photoelectron lifetime are given. The major reacting processes are analysed.

关 键 词：电子陷阱 光电子寿命 卤化银乳剂 卤化银感光材料 

分 类 号：TQ571.1[化学工程—精细化工] TQ575