Optimization for Top DBR’s Reflectivity in RCE Photodectector  

RCE光电探测器顶部 DBR的优化(英文)

作　　者：梁琨[1] 陈弘达[1] 邓晖[1] 杜云[1] 唐君[1] 吴荣汉[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第4期409-413,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家 8 6 3计划;国家自然科学基金!资助项目 (编号 :6 9896 2 6 0 ;6 978980 2 ;6 9776 0 36 )&&

摘　　要：The monolithic integration of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSEL) with photodetectors is very important in the application of free-space optical interconnects.Theoretical and experimental results on the resonant-cavity-enhanced (RCE) photodetector with VCSEL Structure are presented.The compatible requirement in input mirror reflectivity between the VCSEL and the RCE detector is achieved by precisely etching the top mirror.In this way,the RCE detector with relatively high quantum efficiency and necessary optical bandwidth has been obtained.[KH8/9D]对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .

关 键 词：vertical-cavity surface-emitting laser resonant-cavity-enhanced photodetector distributed Bragg reflector free-space optical interconnects 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]