μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应  

Periodic Structure and Quantum Size Effect of μc-Si∶H/a-Si∶H Multilayers

作　　者：徐明[1] 王洪涛[2] 冯良桓[2] 周心明[2] 蔡亚平[2] 冯技文 徐宁[3] 麦振洪[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,北京100080 [2]四川大学材料科学系,成都610064 [3]南京大学固体微结构实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第4期435-439,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :5 92 72 0 95 )&&

摘　　要：利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 .c-Si∶H/a-Si∶H multilayers have been prepared with RF glow-discharge method in which two types of coupling electrodes are alternately changed periodically.The perfect periodic structure of the samples is determined by low-angle X-ray diffraction.The optical properties and temperature dependence on conductivity of the multilayers were observed.It is found that,as the thickness of a-Si∶H sublayer decreases,the optical gap of multilayer increases and the activation energy of conductivity decreases in low temperatures.Above results have been discussed.

关 键 词：射频辉光放电法 周期性结构 μc-Si:H/a-Si:H多层膜 量子尺寸效应 半导体 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]