ZnO电压敏陶瓷中偏锑酸钡相含量与电性能关系的研究  

An Investigation of Relationship Between the Amount of BaSb_2O_6 Phase and Electrical Properties in ZnO Varistor Ceramics

作　　者：石滨[1] 傅刚[1] 陈志雄[1] 

机构地区：[1]广州师范学院物理系

出　　处：《广州师院学报（自然科学版）》1995年第1期56-60,共5页

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了偏锑酸钡相（ＢａＳｂ２Ｏ６）的含量和ＺｎＯ电压敏陶瓷电学性能和关系。结果表明，在偏锑酸钡相，锌锑尖晶石相和氧化铋相三种晶相的总和中，过少或过多的偏锑酸钡相不能使ＺｎＯ电压敏陶瓷具有优良的综合性能，其较佳的范围在１０％～３５％。The relationship between the amount of BaSb2O6 phase and the electrital properties of ZnO varistor ceramics is investigated. Among the BaSb2O6 phase, Zn2.33Sb0.67 O4 phase and Ri2O3 phase,some of ZnO varistor properties are not satisfactory when the amount of BaSb2O6 phase is insuffcient or excessive. The satisfactory range of BaSb2O6 phase is 10%-35%

关 键 词：稳定性 氧化锌电压敏陶瓷 偏锑酸钡相 电学性能 锌锑尖晶石相 氧化铋相 含量 

分 类 号：TM282[一般工业技术—材料科学与工程]