Al^(q+)(q=0—12)的光电离截面和Bethe系数  被引量:6

PHOTOIONIZATION CROSS SECTION AND BETHE COEFFCIENT OF Al^(q+)(q =0—12)

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作  者:方泉玉[1] 李萍[1] 刘勇[1] 邹宇[1] 邱玉波[1] 

机构地区:[1]北京应用物理与计算数学研究所,北京100088

出  处:《物理学报》2001年第4期655-659,共5页Acta Physica Sinica

基  金:国家自然科学基金 !(批准号 :199740 0 6) ;国家高技术惯性约束聚变主题资助的课题&&

摘  要:使用Hartree Fock加相对论修正 (HFR)近似计算Alq+ (q =0— 12 )的光电离截面和Bethe系数 ,其中Bethe系数将光电离截面与电子碰撞电离截面联系起来 ,并且决定电子碰撞电离截面的高能行为 .分析了光电离截面和Bethe系数随电离度 q的变化规律 ,还与其他数据进行比较 。The Hatree Fock relativistic(HFR) method has been used to calculate the cross section of photoionization and the Bethe coefficient of all charge states of Al. The latter, which dominates the cross section of electron impact ionization at high energy region, is also related to the cross section of photoionization. Variation of the cross section of different charge states is discussed. The data reported here is in good agreement with that of Verner et al. obtained with Hatree Dirac Slater method.

关 键 词:光电离 截面 Bethe系数 Hartree-Fock加相对论修正 电子碰撞电离 

分 类 号:O572[理学—粒子物理与原子核物理]

 

参考文献:

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