铜单晶驻留滑移带演化的实验观察与形成机制  

作　　者：李勇[1] 李守新[1] 李广义[1] 杨继红[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,沈阳110016

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2001年第6期625-630,共6页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59971985;59931020);国家重大基础发展规划研究基金(批准号:G19990680)

摘　　要：在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10_(-3).通过扫描电子显微镜-电子通道村度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刀型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成.

关 键 词：铜单晶体 循环形变 驻留滑移带 塑性应变幅 疲劳过程 形成机制 位错 表面形貌 

分 类 号：O614.121[理学—无机化学]