组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱  

Intermixing of Asymmetrical Coupling Double Quantum Well via Combinatorial Ion Implantation with Photo-Modulated Reflectance Spectrum

作　　者：缪中林[1] 陆卫[1] 陈平平[1] 李志锋[1] 刘平[1] 袁先漳[1] 蔡炜颖[1] 徐文兰[1] 沈学础[1] 陈昌明[2] 朱德彰[2] 胡军 李明乾[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 [2]中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海201800

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第6期721-725,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (批准号 :696760 14 )

摘　　要：用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ,用组合离子注入的方法 ,在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ,在未经快速热退火的条件下 ,于常温下测量了光调制反射光谱 ,发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V .GaAs/AlGaAs asymmetrical coupling double quantum well (ACDQW) has been grown with molecule beam epitaxy (MBE).With combinatorial implantation methods,several areas with different implantation ion of As + and H + and different ion doses have been obtained on only a single substrate.Without rapid thermal annealing procedure,the maximum difference of transition energy in sub-bands is found to be 50meV from the photo-modulated reflectance spectra.

关 键 词：非对称耦合双量子阱 组合离子注入 光调制反射光谱 界面混合效应 

分 类 号：TN305[电子电信—物理电子学]