垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟  

Numerical Simulation of CdTe Growth with Vertical Bridgman Method

作　　者：魏彦锋[1] 方维政[1] 张小平[1] 杨建荣[1] 何力[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第7期853-859,共7页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6942 5 0 0 2)

摘　　要：采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区域的温度梯度也是改善固液界面形状的一个有效方法 .同时 ,通过对生长系统中的热流分析 ,表明在生长过程的中间阶段 ,热量交换主要集中在梯度区附近 。A Galerkin finite element method is employed to calculate the thermal fields,melt flow and shape of the crystal melt interface.The influence of the growth parameters on the crystal melt interface is analyzed in detail.The simulations show that at a lower growth rate,a flatter interface would be obtained.Increasing the temperature gradients has also proved effective to improve the interface.Heat flow analysis shows that the heat exchange mainly concentrates near the gradient zone during the middle stage of the growth

关 键 词：CDTE 垂直Bridgman方法 有限元法 数值模拟 

分 类 号：TN304.053[电子电信—物理电子学]