ZnO-B2O_3-SiO_2系统的相结构与介电性能的研究  

Study on Dielectric Properties and Phase Struture of ZnO-B_2O_3-SiO_2 System

作　　者：吴霞宛[1] 李玲霞[1] 王洪儒[1] 张志萍[1] 郝建民[2] 

机构地区：[1]天津大学电子信息学院,天津300072 [2]天津电子材料研究所,天津300192

出　　处：《压电与声光》2001年第3期206-208,共3页Piezoelectrics & Acoustooptics

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 ( 5 9782 0 0 3 )

摘　　要：对 Zn O- B2 O3- Si O2 三元系统进行了 XRD和介电性能定量关系的研究。系统的主、次晶相为 Si O2 、Zn2 Si O4相。调整各组分 ,获得了超低介电常数的介质陶瓷 ,其介电常数ε为 5 ,介电损耗 tanδ≤ 5× 10 - 4 ,容量温度系参数αc≤ (0± 30 )× 10 - 6 /°C、绝缘电阻 IR≥ 10 1 2 Ω ,烧结温度为 1140°C。并对系统进行了 X-射线分析 ,探讨了用X-射线衍射峰强度计算各物相含量的方法。Quantitative relation with dielectric properties and XRD pattern of the ZnO B 2O 3 SiO 2 system are studied in the paper.It is proposed that the main and minor phases of the system is cristobalite and some Zn 2SiO 4 phase.By adjusting the composition,we obtain a dielectric ceramic with extra low ε value.Its dielectric properties is ε ≈5,tan δ ≤5×10 -4 , α c≤(0±30)×10 -6 /°C, I R≥10 12 Ω,and its sintering temperature is 1 140 °C.XRD analysis is discussed on this system,and a method of calculation content of phase content in by X ray diffraction peak intensity is researched.

关 键 词：ZnO-B2O3-SiO2系统 相结构 介电性能 表面组装技术 集成电路 

分 类 号：TN42[电子电信—微电子学与固体电子学]