工业硅炉中铜瓦位置的优化  被引量:1

OPTIMIZATION OF THE COPPER SHOE SITE IN INDUSTRIAL GRADE SILICON FURNACE

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作  者:俞景禄[1] 王忠涛[1] 池延斌[1] 巨建涛[1] 张朝晖[1] 

机构地区:[1]西安建筑科技大学,西安710055

出  处:《铁合金》2001年第2期35-38,共4页Ferro-alloys

摘  要:采用石墨电极的工业硅炉,对铜瓦位置的设定,不宜套用自焙电极的模式,其合理位 置为:矮烟罩炉H=2.3~2.5m,或H=0.8~1m,敞口炉H=1m。It is unsuited to apply the mode of self baking electrode for determ ining the copper shoe site in industrial silicon furnace with graphite electrod e.The rational site for low hood furnace is H=2.3~2.5m,or H=0.8~1m,for o pened furnace is H=1m。

关 键 词:工业硅 铜瓦位置 优化 石墨电极 自焙电极 功率 矿热炉 

分 类 号:TF33[冶金工程—冶金机械及自动化]

 

参考文献:

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