超高密度信息存储分子存储及其存储机理  

ULTRAHIGH DENSITY DATA STORAGE AND MOLECULAR RECORDING

作　　者：高鸿钧[1] 时东霞[1] 张昊旭[1] 林晓[1] 

机构地区：[1]中国科学院物理研究所,凝聚态物理中心北京100080

出　　处：《物理》2001年第8期453-455,共3页Physics

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :69890 2 2 3)资助项目

摘　　要：在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储 ,存储点的大小在 1 3nm左右 ,存储点间距为 1 5nm ,相应的存储密度为 10 1 3bits cm2 .实验与理论计算的结果表明 ,其存储机理是薄膜的导电性质的变化 .Ultrahigh density data storage on organic thin films at a nanometer scale has been successfully obtained by scanning tunneling microcopy. The recorded mark is about 1^3nm in diameter. The shortest distance between the marks is about 1^5nm, corresponding to a data density of 10+{13}bits/cm+2. The recording mechanism can be attributed to the conductance transition from high to low impedance.

关 键 词：超高密度信息存储 分子存储 有机功能材料 扫描探针显微术 纳米薄膜材料 存储机理 导电性 

分 类 号：TQ594[化学工程—精细化工]