CMOS集成电路自锁效应的分析  

作　　者：朱先宇[1] 柯导明[1] 等 

机构地区：[1]安徽大学电子工程与信息科学系，230039

出　　处：《电脑应用技术》2001年第51期1-4,12,共5页Microcomputer Application Technology

摘　　要：本文详细讨论了－55℃-125℃CMOS集成电路的自锁效应维持电流与温度的关系，导出了近似表达式IH（T）＝IH（T1）（T1／T）^m，并给出了m的估算值。计算结果表明近似公式误差小。能完整反映－55℃-125℃的IH（T）变化规律并能与实验结果符合。

关 键 词：CMOS集成电路 自锁效应 维持电流 可控硅 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]