基于双端口RAM的MOS电阻阵控制器的设计  

作　　者：黄明[1] 孙力[2] 

机构地区：[1]中国空空导弹研究院,洛阳471009 [2]西北工业大学,西安710072

出　　处：《航空兵器》2001年第3期9-12,共4页Aero Weaponry

摘　　要：提出一种满足每秒100Hz帧频的MOS电阻阵控制器的设计。它采用双端口RAM存储器,并用双倍存储器作为数据缓冲区,使得成像计算机和数据处理电路可同时对数据缓冲区进行交替工作,保证了MOS电阻阵每秒100帧的刷新速率。

关 键 词：双端口RAM 红外热图像 帧频 设计 MOS 电阻阵控制器 战术导弹武器系统 仿真试验 

分 类 号：TM571[电气工程—电器] TJ761.1[兵器科学与技术—武器系统与运用工程]