冷却速度对Ga凝固过程的影响的模拟研究  

A simulation study for the effects of cooling rate during solidification of Gallium

作　　者：易双萍[1] 刘让苏[2] 董科军[2] 

机构地区：[1]广东工业大学物理系,广州510643 [2]湖南大学物理系,长沙410082

出　　处：《原子与分子物理学报》2001年第2期203-205,共3页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基金!资助项目 (编号 :5 98710 16 )

摘　　要：采用分子动力学方法对Ga在相同初始状态下以不同速度冷却的凝固过程中进行了模拟研究。发现 :以 3.38× 10 13 、3.38× 10 12 K/s的速度冷却 ,得到非晶态结构 ;以 2 .0 1× 10 11K/s的速度冷却 ,发生明显晶化 ,结晶转变温度约为 133K。这一结果 ,对于如何正确选择冷却速度获得优良材料性能 ,将具有重要的实际意义。The effects of different cooling rates and the same initial conditions during solidification process of Ga has been studied by the molecular dynamics method. It has been found that :the amorphous structures are formed with cooling rate 3.38 ×10 13 K/s 、 3.38 ×10 12 K/s ; While, the crystal structures are formed with cooling rate 2.01 ×10 11 K/s . These results will have important practical significance to choose cooling rates correctly in order to obtain excellect mocroscopic properties.

关 键 词：液态金属 结构转变 分子动力学 计算机模拟 冷却速度 凝固过程 镓 非晶态材料 

分 类 号：O552.6[理学—热学与物质分子运动论] O561.1[理学—物理]