高边模抑制比窄线宽的光纤光栅外腔半导体激光器  

FIBER GRATING EXTERNAL CAVITY SEMICONDUCTOR LASERS (FGECSL) WITH NARROW LINEWIDTH HIGH MSR

作　　者：周凯明[1] 胡雄伟[1] 刘海涛[1] 葛璜[1] 安贵仁[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《光子学报》2001年第4期478-482,共5页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文从耦合腔理论出发分析了光纤光栅外腔半导体激光器的模式选择 ,得到了为达到稳定的高主边模抑制比所需的短外腔、短光纤光栅的器件设计原则 .制作了两只光纤光栅外腔半导体激光器 ,Q1为短外腔 (<2 mm)、短光纤光栅 (4mm)结构 ,Q2 为长外腔 (2 0 mm)、长光纤光栅 (1 7mm)结构 .测量 Q1的主边模抑制比为 35d B,Q2 的主边模抑制比为 1 0 dIn this paper we analyze the mode selection of FGECSL using coupled cavity laser theory.In order to get stable high MSR output,short external cavity and short fiber grating should be used.We fabricated two FGECSLs,Q 1 and Q 2.Q 1 is with short external cavity (<2mm) and short fiber grating (4mm) and Q 2 is with longer external cavity (about 20mm) and longer fiber grating (17mm).The MSR of these two lasers,are 35dB and 10dB respectively.

关 键 词：光纤光栅外腔 半导体激光器 耦合腔 高边模抑制比 窄线宽 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]