量子阱半导体激光器的光束质量  被引量:3

OPTICAL BEAM QUALITY FACTORS OF QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASERS

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作  者:王绍民[1] 赵道木[1] 吕章德[1] 周国泉[1] 黄富泉[1] 徐锦心[1] 

机构地区:[1]浙江大学物理系,杭州310028

出  处:《光子学报》2001年第4期483-486,共4页Acta Photonica Sinica

基  金:国家自然科学基金! ( 1 9974 0 38)资助项目

摘  要:本文给出了一种非截取地收集非傍轴激光束 ,并把它变换成傍轴光束的方法 ,将之运用到量子阱半导体激光器的实验中发现了一些重要的现象 .经过测量和计算得到它垂直于结方向的等效光束质量原子 M2y 明显小于 1 。An approach to non truncatedly collect non paraxial semiconductor laser beam and transform it into paraxial one is given.By using this way,some novel phenomena are revealed in the experiments of a common strained multiple quantum well laser diode.The results show that M 2 y in vertical direction is obviously smaller than 1.This discovery will bring the study and applications of semiconductor lasers to a new stage.

关 键 词:量子阱 半导体激光器 光束质量 量子光学 傍轴激光束 非傍轴激光束 

分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学] O431.2[机械工程—光学工程]

 

参考文献:

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