抗干扰用MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器的tgδ  

tgδ of MKP metallized polypropylene film capacitors for interference suppression

作　　者：师向虎 杨晓舟 

机构地区：[1]BC上海中狮电子有限公司,上海201206

出　　处：《电子元件与材料》2001年第3期7-9,共3页Electronic Components And Materials

摘　　要：以X2类MKP型金属化聚丙烯薄膜电容器为例分析了影响该类电容器tg■的主要因素。指出薄膜的方阻大小、芯子的错边、喷金粒子的大小、喷金前芯子端面上的灰尘是导致电容器芯子在经过赋能、成品耐电压试验、脉冲电压试验后tg■变大的主要原因。在这类电容器制造过程中应严格控制这些因素。With MKP metallized polypropylene film capacitor for interference suppression as an example, the key factors that affect tg■ are analyzed. It is concluded that metallized film sheet resistance, offset edges, metal particle size and dust on terminal surface are the main factors that result in higher tg■after clearing, voltage test or surge voltage test. (no refs.)

关 键 词：抗干扰 金属化聚丙烯薄膜电容器 损耗角正切 MKP型 

分 类 号：TM533.3[电气工程—电器]