受主型热缺陷补偿的n-Ge常温下的反常伏安特性  

作　　者：邢旭[1] 刘益春[1] 齐秀英[1] 焦志伟 

机构地区：[1]东北师范大学物理系,长春130024

出　　处：《科学通报》1991年第6期413-416,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：近年来,人们在各种半导体材料中不断发现了一些新的反常特性,但由于人们对这些反常特性的机理和产生的规律性看法不一,所以至今这方面的研究仍在进行中. 自n-Ge常温反常Hall效应、反常磁致电阻效应圈和反常电导效应发现以来。

关 键 词：n-Ge 热缺陷 半导体 反常伏安特性 

分 类 号：TN304.11[电子电信—物理电子学]