V-Sr-Tl-O系统,超导迹象的实验观察  

作　　者：刘志毅 贾顺莲[1] 倪泳明[1] 黄玉珍[1] 李建奇[1] 张勇[1] 钱露茜[1] 李威 尹渤 容锡燊 金荣英 侯肖虎 毕建清[1] 赵忠贤[1] 

机构地区：[1]国家超导实验室,中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《科学通报》1991年第7期504-506,共3页Chinese Science Bulletin

摘　　要：最近,日经超导新闻报道日立研究所相原胜藏等人发现在V-Sr-Tl-0系统中,在132K出现零电阻,并在50K附近观察到了很弱的抗磁性.原作者认为是高温超导电性.同时指出,该系统非常不稳定.我们知道具有ABO_3结构的V_2O_3是典型的金属绝缘体转变系统,并伴随着反铁磁性的转变.从能带结构上看出与CuO非常相似。

关 键 词：v-Sr-Tl-O 电阻 磁导率 

分 类 号：TM262[一般工业技术—材料科学与工程]