超导单晶晶须的生长  

作　　者：葛云龙[1] 刘清民[1] 金华[1] 胡壮麒[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所,沈阳110015

出　　处：《科学通报》1991年第8期575-577,共3页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：一、引言 在多晶氧化物超导材料中,由于晶界及晶粒取向造成的颗粒弱连接,限制了临界电流密度的提高,使其难于达到实用要求。为了深入研究氧化物超导材料的晶体结构、超导性与其他物理性能,大幅度提高J_c值以满足实用要求,制备高质量大尺寸的单晶是非常重要的。

关 键 词：超导体 单晶 晶须 BISRCACUO 

分 类 号：TM262[一般工业技术—材料科学与工程]