Prop铁电薄膜电容器YBCO/Pb(Ta_(0.05)Zr_( 0.48)Ti_(0.47))O_3/YBCO/Pt/TiO_2/SiO_2/Si的性质(英文)  

Properties of Ferroelectric Capacitor YBCO/Pb(Ta_(0.05)Zr_( 0.48)Ti_(0.47))O_3/YBCO/Pt/TiO_2/SiO_2/Si

作　　者：李启亮[1] 王栩生[1] 殷江[1] 高兴森[1] 刘治国[1] 

机构地区：[1]南京大学固体微结构国家重点实验室,南京210093

出　　处：《南京大学学报（自然科学版）》2001年第5期619-624,共6页Journal of Nanjing University（Natural Science）

基　　金：NationalNaturalScienceFoundationofChina(5 9832 0 5 0 ) ,NaturalScienceFoundationofJiangsuProvince (BK970 42 )

摘　　要：铁电薄膜有望被应用于“不挥发随机存储器 (NvRAM )” ,在这其中 ,Pb(Zr,Ti)O3(PZT)铁电薄膜由于有较大的剩余极化 ,较小的矫顽场 ,高居里点 ,以及与硅集成的可能性而得到了广泛的研究 .但是 ,由于铁电薄膜与金属电极之间的界面不理想 ,以及铁电薄膜中的晶界角度过高 ,而大大降低了铁电电容器的性能 .最近的研究表明 ,通过用导氧化物作电极 ,可部分的改善电薄膜的疲劳和保持性能 .用脉冲激光沉积法 (PLD) ,以YBa2 Cu3O7(YBCO)为隔离层 ,在Pt/TiO2 /Si(10 0 )衬底上制备Pb(Ta0 .0 5Zr0 .48Ti0 .47)O3(PTZT)铁电薄膜 ;并以YBCO为上下电极做成铁电电容器 .X衍射发现以YBCO为电极的PTZT结晶成完全钙钛矿相 .SEM结果表明PTZT晶粒大约在 180nm左右 ,YBCO/Pt ,Pt/TiO2 界面非常清晰 ,没有发现任何扩散 .在RT6 0 0 0HVS环境下 ,发现在 91kV/cm的外场下反转 1× 10 1 1 次后 ,此电容器的极化P 和P^分别只减少了 2 0 %和 6 % ;在 145kV/cm的读写外场下经过 1× 10 5s后 ,此电容器的极化基本保持不变 ;在过大的外场下 ,此电容器的疲劳特性明显变差 .由于引入YBCO过渡层 ,改善了界面 ,减少了薄膜中氧空位的聚集程度 。Ferroelectric Pb(Ta 0.05Zr 0.48Ti 0.47)O 3 (PTZT) thin films were deposited on Pt/TiO 2/SiO 2/Si (100) substrates using YBa 2Cu 3O 7(YBCO) buffer layer and top electrode. After 1×10 11 switching cycles at 91 kV/cm applied field, the decays of polarization P * and P ∧ were only 20% and 6% respectively. No significant degradation of polarization can be found after a waiting time of 1×10 5 second at 145 kV/cm write and read field. Fatigue performance was deteriorated in too high applied field.

关 键 词：极化 疲劳 保持 铁电薄膜电容器 晶界过度 导氧化铁 YBCO 铅 二氧化钛 脉冲激光沉积 

分 类 号：TM534[电气工程—电器]