两种间接测量TTL与非门参量的方法  

Two methods of indirectly determining parameter of TTL NAND gate

作　　者：王庆春[1] 梁俊龙[1] 何晓燕[1] 

机构地区：[1]安康师范专科学校物理与计算机系,陕西安康725000

出　　处：《物理实验》2001年第10期12-14,20,共4页Physics Experimentation

摘　　要：对两种非对称式 TTL与非门多谐振荡器进行了分析 ,提出了两种间接测量 TTL与非门参量的方法 。Based on analyzing two types of unsymmetrical TTL NAND pulse OSC, two methods of indirectly determining parameter of TTL NAND gate are presented and verified by experiments.

关 键 词：TTL与非门参量 多谐振范器 间接测量 可行性论证 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]