检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]复旦大学物理系
出 处:《物理实验》2001年第10期46-48,共3页Physics Experimentation
摘 要:介绍了不同实验条件下 ,锑化铟磁阻器件电阻与所加直流磁感应强度的关系 ,并对其曲线进行了拟合与讨论 .通过施加低频交流磁场的方法 ,得到了磁阻器件在小于 0 .0 6The magnetoresistance effect of the InSb sensor is measured under different experimental conditions, the derived results are fitted and discussed. The sensor's frequency doubling effect on electromagnetic signal is given under certain conditions.
关 键 词:磁电阻效应 锑化铟磁阻器件 倍频 特性测量 应用 传感器
分 类 号:TP212.13[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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