真空间隙中经臭氧化水处理的铜电极的表面状况及电击穿特性  

作　　者：S.Kobay ashi 

出　　处：《真空电器技术》2001年第3期24-28,共5页

摘　　要：氧化水处理有一优点，即可除去有机污染，从而在表面上产生一钝化氧化膜，且经处理的表面状况可在空气中保持。这一技术已被应用在无氧铜电极的表面处理中。实验结果表明：在无任何防护下，首次电压施加时，击穿场并不总是提高的，但在击穿处得到显著的老炼效应。此外，在经臭氧水处理的表面上附加的溅射净化提高了首次击穿场，表面分析证明，在经臭氧化水处理后，电极表面覆盖了一层氧化膜（CuO)，经过由脉冲电压产生的500次重复击穿的老炼后，这一薄膜被去除，暴露出大部分铜，这些结果是根据处理后的表面能在空气中保持的特点得出的。

关 键 词：真空灭弧度 真空间隙 臭氧化水处理 铜电极 电击穿特性 

分 类 号：TM561.2[电气工程—电器]