半导体量子器件物理讲座 第六讲 半导体量子阱激光器  

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DIODES

作　　者：余金中[1] 王杏华[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《物理》2001年第11期717-723,共7页Physics

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :697460 0 1 ;697870 0 4 ;698962 60 - 0 6 ;69990 540 );国家科技部"973"计划资助项目

摘　　要：量子阱结构是半导体光电子器件的核心组成部分 ,它是半导体光电子集成的重要基础 .文章在描述了量子结构的态密度、量子尺寸效应、粒子数反转的基础上 ,介绍了量子阱导质结构激光器的工作原理、器件结构、器件性能 。Quantum wells are the foundation for semiconductor optoelectronics integrated circuits as well as the key part of optoelectronic devices. Based on the state density,quantum size effects and population inversion in quantum structures we discuss the principles of operation, structure and performance of quantum well lasers. These structures have played a very important role in visible and high-power laser diodes, showing many outstanding properties.

关 键 词：异质结 量子阱 半导体光电子学 光电集成 半导体量子器件 激光器 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]