具有氧化孔径层的方柱形微腔半导体激光器理论模型  

A Theoretical Model of Rectangular Columnar VCSEL with Oxidized Apertures

作　　者：王英龙[1] 李惠青[1] 丁文革[1] 常雷[1] 孙江[1] 郑云龙[1] 王莹 

机构地区：[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002 [2]保定体育学校,河北保定071000

出　　处：《河北大学学报（自然科学版）》2001年第3期235-238,243,共5页Journal of Hebei University(Natural Science Edition)

基　　金：河北省自然科学基金资助项目 (6 0 10 84)

摘　　要：对于具有大折射率衬比的氧化孔径层的方柱形垂直腔面发射微腔半导体激光器 ,基于Maxwell方程组的矢量解 ,推导了用于计算激光器阈值增益的理论模型 。We present a theoretical model for calculating threshold gain in rectangular columnar VCSEL with oxidized apertures. It is based on a vectorial solution of Maxwell equations. The model gives theoretically direction of numerical simulation and designing micro-cavity semiconductor lasers with good properties.

关 键 词：方柱形 微腔半导体激光器 氧化孔径层 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]