RAPD分析N^+注入紫花苜蓿种子后幼苗基因组DNA变异  

Study in Mutation of Alfalfa Genome DNA Due to Low Energy N^+ Implantation Using RAPD

作　　者：陈若雷[1] 宋道军[1] 余增亮[1] 李玉峰[2] 梁运章[2] 

机构地区：[1]中科院等离子体物理研究所等离子体生物工程研究室,合肥230031 [2]内蒙古大学物理系,呼和浩特010021

出　　处：《高技术通讯》2001年第11期12-16,19,共6页Chinese High Technology Letters

基　　金：国家自然科学基金 ( 119890 30 0 );国家重点科技攻关 ( 96 5 38 0 2 0 1)资助项目

摘　　要：用低能离子束对紫花苜蓿种子进行不同剂量的处理。从各处理组与对照组发芽率的统计分析中发现种子发芽率随处理剂量增大呈现出马鞍形曲线。应用随机引物扩增多态性DNA(RandomamplifiedpolymorphicDNA即RAPD)技术检测注入低能N+ 离子束的紫花苜蓿幼苗总DNA的结果显示 :10 0种随机引物中的 8种引物 (S4 1、S4 2 、S4 5、S4 6、S50 、S52 、S56、S58)扩增出 30条多态性片段 ,且处理组与对照组的条带数目差异随注入离子剂量的提高而增加。表明了低能N+ 注入紫花苜蓿种子可引起其基因组DNA发生变异 ,注入剂量愈大 ,突变程度愈高。After implanted by various dosage N+ beams, germination rate of alfalfa seeds appears to be saddle line with dosage increasing. We have studied in mutation of genome DNA due to low energy N + implantation, and concluded that 30 differential DNA fragments have been amplified by 8 primers (S 41, S 42, S 45, S 46, S 50, S 52, S 56, S 58) in 100 primers, moreover, number of differential DNA fragments between CK and treatments increases with dosage. Consequently, low energy ion implantation can cause mutation of alfalfa genome DNA. The more dosage it is, the more mutation alfalfa will be.

关 键 词：紫花苜蓿 N^+注入 发芽率 RAPD 氮离子注入 农作物 诱变育种 基因变异 DNA 低能离子束 

分 类 号：Q503[生物学—生物化学]