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作 者:高峰[1] 屈绍波[1] 周欣山[1] 杨祖培[1] 田长生[1]
机构地区:[1]西北工业大学材料科学与工程学院,西安710072
出 处:《材料工程》2001年第8期22-24,28,共4页Journal of Materials Engineering
基 金:航空科学基金资助项目 (97G5 3 0 83 )
摘 要:采用复相混合烧结制备出掺杂钾离子的 PZN基陶瓷 ,研究了钾离子对 PZN- BT- PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。结果表明 ,钾离子掺杂可使材料的居里温度向低温方向移动 ,降低陶瓷的介电常数 ,但可有效改善陶瓷试样的温度稳定性 ;复相混合烧结可以消除由于钾离子掺杂而引起的焦绿石相 ;二者结合可获得具有纯钙钛矿相结构 ,弥散相变度宽 (~ 10 0℃ ) ,室温介电常数高 ,介电损耗低 (0 .0 11)的 PZN基弛豫铁电陶瓷 。The effect of K + doped on phase structure and dielectric constant of PZN BT PT ceramics was investigated The results show that the Curie temperature can be shifted to lower temperature after K + doped in the ceramics Dielectric constant will decrease with increasing K + additive, but temperature stability can be improved at the same time Composite sintering can eliminate pyrochlore phase,which existed in K + doped ceramics The temperature stability can be improved greatly with combining composite sintering technology to the doping technology
关 键 词:掺杂 PZN基陶瓷 相结构 介电性能 钾离子 弛豫铁电陶瓷
分 类 号:TQ174.75[化学工程—陶瓷工业] TQ174.13[化学工程—硅酸盐工业]
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