多孔硅及其应用研究展望  

Porous Silicon and Expectation of Its Application

作　　者：王清涛[1] 李清山[1] 

机构地区：[1]曲阜师范大学物理系,山东曲阜273165

出　　处：《辽宁大学学报（自然科学版）》2001年第4期301-304,317,共5页Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

基　　金：山东省自然科学基金资助项目 (No .Y98A1 0 0 1 3)

摘　　要：介绍了多孔硅的形成机制、光致发光机制 。This paper introduces the formation and photoluminescene mechanisms of porous silicon, and presents the expectation of its future application.

关 键 词：多孔硅 量子线 量子限制效应 形成机制 光致发光机制 Beale耗尽模型 扩散限制模型 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]