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作 者:柳厚田[1] 杨炯[1] 梁海河[1] 杨春晓[1] 周伟舫[1]
机构地区:[1]复旦大学化学系,上海200433
出 处:《复旦学报(自然科学版)》2001年第4期401-403,407,共4页Journal of Fudan University:Natural Science
基 金:国家自然科学基金资助项目 (2 98730 13)
摘 要:采用线性电位扫描法和交流伏安法分别研究了不同铈含量的铅铈合金在 4.5mol·dm-3 H2 SO4 溶液中以 0 .9V(vs .Hg/Hg2 SO4 电极 )生长的阳极Pb(Ⅱ )膜所需电量的增长率和膜阻抗的实数部分变化 .结果表明 ,铈的添加可降低Pb(Ⅱ )膜电阻 ,但对Pb(Ⅱ )膜生长速率的抑制仅限于低铈含量 ,x(Ce)≤ 0 .0 1.The growth rates of the anodic Pb(Ⅱ) films formed on the Pb Ce electrodes with various cerium contents at 0.9 V (VS. Hg/Hg 2SO 4 electrode) in 4.5 mol·dm -3 H 2SO 4 solution at 20 ℃ were measured using Linear Sweep Voltammetry. The variation of the real part of impedance with electrode potential for the anodic Pb(Ⅱ) film was measured by A.C. Voltammetry. The results show that the addition of cerium may reduce the resistivity of the anodic Pb(Ⅱ) film, but inhibit the growth of the films on the lead alloys containing x (Ce)≤0.01.
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