高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响  

Effects of Quenching on Deep Donor Defect EL_2 in GaAs

作　　者：杨瑞霞[1] 刘力锋[1] 郭惠[1] 

机构地区：[1]河北工业大学电信学院,天津300130

出　　处：《河北工业大学学报》2001年第1期67-69,共3页Journal of Hebei University of Technology

基　　金：河北省自然科学基金资助项目!(195051)

摘　　要：研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ，在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后，样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级，提高高温过程中的 ＡＳ压，可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．The effects of quenching on EL2 concentration have been investigated for undoped semi-insulating LECGaAs. It is found that EL2 concentration can be decreased by about one order magnitude after vacuum annealing at 1120'C for 2 h ~ 8 h following by a fast cooling. The decrease in EL2 concentration can be suppressed by increasing As pressure during annealing.

关 键 词：非掺杂半绝缘LECGaAs 高温粹火 EL2浓度 AS压 砷化镓 深施主缺陷 集成电路 砷压 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.23