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机构地区:[1]山东大学物理与微电子学院,济南250100 [2]中国科学院物理研究所,北京100080
出 处:《量子电子学报》2001年第6期548-550,共3页Chinese Journal of Quantum Electronics
基 金:国家自然科学基金资助项目(NO.69976016);山东省自然科学基金资助课题(NO.Y98G11107)
摘 要:在 T=77 K;测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223cm-1和422cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.Raman scattering for doped GaAs/AlGaAs superlattice was measured at T=77 K. Two scattering peaks, whose Raman shift is 223 cm-1 and 422 cm-1, respectively, in Raman spectrum were observed. It is belived that two scattering peaks are related to coupling modes between plasmon and longitudinal optical phonon for Si-doped GaAs/AlGaAs superlattice. Calculated positions of Raman Scattering peaks produced by the coupling modes are in good agreement with measurement results.
分 类 号:TN304[电子电信—物理电子学]
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