a-Si太阳电池陷光结构的新模型及其优化  

A New Model for Light Trapping Scheme of a-Si Solar Cell and Its Optimization

作　　者：麦耀华[1] 李洪波[1] 薛俊明[1] 杨恢东[2] 任慧志[1] 张德坤[1] 王宗畔[1] 耿新华[1] 

机构地区：[1]南开大学光电子所,天津300071 [2]五邑大学薄膜与纳米材料研究所,广东江门529020

出　　处：《光电子．激光》2001年第12期1222-1225,共4页Journal of Optoelectronics·Laser

基　　金：国家重点基础研究(973)发展规划项目资助 (G2 0 0 0 2 82 0 2 )

摘　　要：我们在分析陷光结构的表面形貌后 ,对陷光结构提出一个新的模型 ,并用它计算和分析折射率、形貌和膜厚等参数对陷光效果的影响。通过计算 ,我们找出这些参数的最佳值 ,并依此对陷光结构进行优化 。In this paper we built a new model for light trapping scheme of a silicon solar cell to investigate the effects of its several parameters,sucha s thickness,index etc.Throught the calculation we acquired the optimum value of each parameter.Finally we obtained the optimal light trappinig scheme through the optimization of all the parameters.

关 键 词：非晶硅太阳电池 陷光结构 模拟 优化 

分 类 号：TM914.41[电气工程—电力电子与电力传动]