LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器  

LP-MOVPE Grown Broad-Waveguide Al-Free Active-Region SQW Lasers

作　　者：李忠辉[1] 王向武[2] 杨进华 张兴德 

机构地区：[1]长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室,长春130022 [2]南京电子器件研究所新材料中心,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2001年第12期1557-1560,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：介绍了无铝激光器的优点 ,利用 L P- MOVPE生长出宽波导有源区无铝 SCH- SQW结构激光器 .该结构采用宽带隙 In Ga Al P作限制层 ,加宽的 In Ga P作波导层 ,增加对载流子和光子的限制作用 ,以克服有铝激光器易氧化和全无铝激光器载流子易泄漏的缺点 .制作的条宽 10 0 μm、腔长 1mm的激光器 (腔面未镀膜 ) ,激射波长为831nm,室温连续输出光功率达 1W.The advantages of Al free semiconductor lasers are introduced.Broad waveguide Al free active region SCH SQW lasers are grown by LP MOVPE.The lasers with emitting wavelength of 831nm and with the wide stripe of 100μm and the cavitylength of 1mm,the CW output power of 1W is obtained.

关 键 词：金属有机化合物气相外延 宽波导 无铝激光器 单量子阱激光器 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]