高亮度发光二极管外量子效率的计算  

Calculating External Quantum Efficiency of High Bright Light Emitting Diodes

作　　者：邓云龙[1] 廖常俊[1] 刘颂豪[1] 范广涵[1] 文尚胜[2] 

机构地区：[1]华南师范大学量子电子学研究所,广州510631 [2]华南理工大学应用物理系,广州510641

出　　处：《量子电子学报》2002年第1期65-69,共5页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：2000年国家科技攻关项目;编号为:00-068;广州市科技重点攻关项目;编号为:1999-Z-035-01

摘　　要：本文对典型结构高亮度发光二极管（ＨＢ－ＬＥＤ）的注入电流扩展以及器件的光输出进行了详细的理论分析，结果表明具有较厚顶层的器件容易实现注入电流的扩展，而具有较厚的底层即具有透明衬底的器件容易实现光耦合输出，因此引入较厚顶层和底层是提高ＬＥＤ的外量子效率的有效手段．最后分别计算出不同顶层厚度下具有吸收衬底和透明衬底的ＬＥＤ的外量子效率，这两类ＬＥＤ 最大外量子效率分别为 １２．０５％和２０．１２％．By analyzing HB-LED model about electrical inject, optical output and calculating the distributing of electrical density photon output coupling efficiency at different top layer in HB-LED, we found the thicker of top layer and bottom layer, the easier for electrical spread and optical output. The calculating result showed that the thickness of top layer and bottom layer should be 49-98μm and 148μm, respectively The maximal external quantum efficiency of these types of LED is 12.05% and 20.12%.

关 键 词：外量子效率 电流密度分布 亮度 发光二极管 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]