PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究  

Electronic structures of defects associated with intrinsic vacancies in PbWO_4 crystals

作　　者：姚明珍[1] 顾牡[1] 梁玲[1] 段勇[1] 马晓辉[1] 

机构地区：[1]同济大学物理系,上海200092

出　　处：《物理学报》2002年第1期125-128,共4页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :197740 43);上海市教育委员会重点学科发展基金;教育部高等学校骨干教师资助计划;上海高等学校科技发展基金资助的课题~~

摘　　要：采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO42This paper presents a study on electronic structures of defects associated with oxygen vacancy V O and lead vacancy V Pb in lead tungstate crystals (PbWO 4), by the relativistic self consistent discrete variational embedded cluster method. Furthermore, the excitation energy is also calculated. We found that WO 3+ V O could be the absorption center at 350nm and 420nm, and the existence of V Pb can diminish the band gap of WO 4 2- .

关 键 词：PBWO4晶体 密度泛函 氧空位 铅空位 态密度分布 晶体缺陷 电子结构 钨酸铅晶体 

分 类 号：O77[理学—晶体学]