相场法模拟过冷熔体枝晶生长的界面厚度参数的取值  

作　　者：于艳梅[1] 杨根仓[1] 赵达文[1] 吕衣礼[1] A.Karma C.Beckermann 

机构地区：[1]西北工业大学凝固技术国家重点实验室 [2]Department of Physics and Center for Interdisciplinary Research on Complex Systems,Northeastern University,Boston,Massachusetts 02115,USA [3]Department of Mechanical Engineering,The University of Iowa,Iowa City,IA 52242,USA

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》2001年第11期1192-1197,共6页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:59971037);西北工业大学博士论文创新基金

摘　　要：研究了用相场法模拟纯物质过冷熔体枝晶生长过程中,界面厚度的取值对模拟结果可靠性的影响及影响界面厚度取值的因素;然后,在选取合理界面厚度取值的基础上,计算了不同过冷度下纯镍过冷熔体枝晶生长的速度并与实验进行了比较,研究表明:为了获得可靠的计算结果,界面厚度的取值应足够小;合理的界面厚度的取值由过冷度、各向异性、界面动力学、热扩散系数等参数综合决定;在选取合理界面厚度的基础上,模拟结果与实验吻合,证明界面厚度足够小时可获得可靠的模拟结果,为相场法模拟过冷熔体技晶生长时的界面厚度参数的取值提供了依据。

关 键 词：相场法 枝晶生长 界面厚度 过冷度 过冷熔体 各向异性 界面动力学 

分 类 号：O781[理学—晶体学]