a-SITFT对TFT-AMLCD光学特性的影响  

EFFECT OF A-SiTFT ON THE OPTICAL PROPERTIES OF TFT-AMLCD

作　　者：钱祥忠[1] 成建波[2] 

机构地区：[1]电子科技大学光电子技术系,四川成都610054 [2]淮南工业学院数理系,安徽淮南232001

出　　处：《应用光学》2001年第6期1-3,14,共4页Journal of Applied Optics

基　　金：安徽省自然科学基金资助项目 (99JL 0 191)

摘　　要：分析非晶硅晶体管 (a- Si TFT)的电学特性与薄膜晶体管 -有源矩阵液晶显示 (FTF-AMLCD)光学特性的内在联系。讨论加在 a- Si TFT源极上的驱动电压、a- Si TFT的寄生电容和阵列结构对 TFT-The inner link of the electric properties of a-SiTFT and the optical properties of TFT-AMLCD was analyzed. The effect of driving voltage applied on source polar, parasitic capacitance and array structure of a-SiTFT on the optical properties of TFT-AMLCD was discussed.

关 键 词：非晶硅晶体管 薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示 光学特性 电学特性 驱动电压 寄生电容 阵列结构 

分 类 号：TN141.9[电子电信—物理电子学] TN32