引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数  

Distribution Coefficient of Cr in Mg_2SiO_4-:Cr Crystal by Czochralski Method

作　　者：朱洪滨[1] 潘佩聪[1] 颜声辉[1] 侯印春[1] 王四亭[1] 柴耀[1] 卢志英[2] 吉昂[3] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [2]上海机械学院,上海201800 [3]中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800

出　　处：《人工晶体学报》1991年第2期174-178,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：上海市科委青年科学基金

摘　　要：用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。Distribution coefficient of Cr in Mg_2SiO_4:Cr crystal by Czochralski method is determined to be 0.15 by X-ray fluorescence spectrum. Analysis the error between the calculated value and the experimental value, The methods to grow quality crystal are introduced.

关 键 词：Mg2SiO4:Cr 铬 晶体 提拉法 激光 

分 类 号：O614.22[理学—无机化学]