硅体费米势在(300～600K)宽温区温度特性的研究  

Temperature Characteristics of Fermi Potential in Silicon at the Wide-Temperature-Range(300～600 K)

作　　者：杨国勇[1] 宋安飞[1] 冯耀兰[1] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096

出　　处：《电子器件》2001年第4期314-317,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )

摘　　要：本文首先简要分析了 MOSFET阈值电压随温度的变化率 ,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素——体费米势的温度特性 ,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型 。The temperature dependent variation rates of the threshold voltages for MOSFET are analyzed first. The temperature characteristics of the Fermi potential--one of the main factors that influence the temperature characteristics of the threshold voltage-- are discussed. At last, a more accurate linear fitting model is presented and the model is verified through simulation

关 键 词：体费米势 温度特性 硅 宽温区 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学]