电子俘获光存储材料的研究进展  

Progress in Studies of Electron Trapping Optical Storage Materials

作　　者：孙力[1] 王永生[1] 董金凤[1] 何志毅[1] 徐征[1] 

机构地区：[1]北方交通大学光电子技术研究所

出　　处：《激光与红外》2001年第5期262-265,共4页Laser & Infrared

基　　金：国家自然科学基金资助 (198740 0 1) ;北方交通大学论文基金资助

摘　　要：电子俘获光存储技术是一种新型的存储技术 ,有望从存储机制方面突破现有的光存储介质的限制 ,实现大密度稳定可重复擦写存储。文中详细报道了近年来电子俘获光存储材料的研究进展。着重介绍了电子俘获材料光存储机制 ,以及各种材料的存储特性 ,并探讨了存在的问题。Electron trapping optical storage is new type stora ge technology.It can realize stable,rewritable,high-compact storage.Progress in studies of electron trapping material in recent years was reviewed.Mechanism of electron trapping optical storage and storage properties in different material was reviewed in detail.Some problems related with utilities were discussed.

关 键 词：电子俘获材料 光存储 存储材料 

分 类 号：TP333.4[自动化与计算机技术—计算机系统结构]