低能氮离子注入对花粉细胞钙浓度及膜电位的影响  

作　　者：黄忠连 荆艳萍 朱果利 陆挺[3] 周宏余[3] 任海云[1] 

机构地区：[1]北京师范大学细胞增殖及调控教育部重点实验室,北京100875 [2]中国农业大学植物生理生化农业部重点实验室,北京100094 [3]北京师范大学射线技术和材料改性教育部重点实验室,北京100875

出　　处：《科学通报》2001年第10期832-835,共4页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:G1999011701);国家自然科学基金重大项目(批准号:19890300);国家自然科学基金面上项目(批准号:39870052);教育部优秀年轻教师基金;教育部留学回国人员科研启动基金;教育部高等学校骨干教师资助计划资助.

摘　　要：以百合花粉为材料研究了低能Ｎ＋注入对花粉营养细胞Ｃａ２＋浓度和膜电位的影响．花粉细胞经１００ ｋｅＶ能量和１０１３离子／ｃｍ２剂量注入Ｎ＋后，胞内Ｃａ２＋浓度明显增加．加入钙通道抑制剂后，Ｃａ２＋浓度的增加受到部分抑制．并且这种抑制作用随着抑制剂浓度的增加而加强．利用细胞内微电极技术测定细胞膜电位的结果表明，注入 Ｎ＋后花粉细胞膜出现去极化反应，即膜电位值升高．加入钙通道抑制剂后，膜电位的上升幅度虽有所降低，但仍明显高于对照细胞，说明至少部分膜电位的升高是由Ｎ＋注入首先引起的．因此推测，细胞膜电位的去极化引起细胞膜钙通道打开从而使细胞内钙浓度升高可能是低能离子注入促进花粉萌发的初始效应．

关 键 词：百合花粉 钙浓度 膜电位 低能氮离子注入 花粉细胞 萌发率 初始效应 

分 类 号：Q944[生物学—植物学]