团簇取样法计算六方晶系GaN晶体中NK-edge电子能量损失谱近阈精细结构  

作　　者：高尚鹏[1] 张卫华[2] 李家明[2,3] 朱静 

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室 [2]清华大学物理系原子分子纳米科学研究中心 [3]中国科学院物理研究所,北京100080

出　　处：《中国科学（A辑）》2001年第10期949-953,共5页Science in China(Series A)

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号:1973 4 0 3 0 ) ;国家 973项目;国家 863项目;攀登计划和科学技术部项目;国家高技术ICF委员会项目;教育部项目;清华大学985项目

摘　　要：利用多重散射自洽场方法 ,通过团簇取样计算了晶体的电子能量损失谱精细结构 .GaN晶体中NK_edge近阈结构的计算结果与实验谱线符合得很好 .由于理论结果可以对不同能量损失区间的透射电子给出清楚标识 ,讨论了有关能量过滤像的实验 .

关 键 词：团族模型 多重散射自洽场方法 GaN晶体 能量损失谱精细结构 能量过滤像 NK-edge近阈结构 团族取样法 六方晶系 

分 类 号：O73[理学—晶体学]