HL—1M装置超声分子束注入的边缘等离子体结构  

作　　者：洪文玉[1] 王恩耀[1] 等 

机构地区：[1]核工业西南物理研究院，四川成都610041

出　　处：《四川真空》2001年第2期36-39,共4页

摘　　要：HL－1M装置的分子束流注入加料实验中，利用提高注入口气源的气压来提高超声分子束流的速度和增加入射的粒子密度，从而改变边缘电场，等离子体旋转速度和边缘静电雷诺Xie强。本文利用马赫／郎缪尔探针组测量HL－1M装置刮离层（SOL）和边缘雷诺Xie强，等离子体极向旋转，径向和极向电场的变化，表明了随着分子束流速度和粒子密度的增加，延伸了分子束流的注入深度。

关 键 词：雷诺Xie强 极向旋转 极向电场 径向电场 加料实验 超声分子束注入 HL-1M装置 托卡马克装置 边缘等离子体 结构 

分 类 号：TL631.24[核科学技术—核技术及应用] TL624