Al-Si-Gd(0-33.33at%)三元系合金相图的室温等温截面及相结构之研究  

Isothermal Section of AI-Si-Gd (0-33.33at%) at Room Temperature and the Structure of Ternary Compounds

作　　者：刘剑军[1] 

机构地区：[1]上海第二工业大学稀土研究室

出　　处：《上海第二工业大学学报》1991年第2期53-58,共6页Journal of Shanghai Polytechnic University

摘　　要：本文应用X射线衍射方法、全相观察及电子探针分析方法对AI-Si-Gd(0-33.33at%)三元系合金相图的室温等温截面及中间化合物的结构进行测定和研究,这对我们了解稀土元素Gd加入到Al-Si合金后的作用机理有一定的理论指导意义.In the paper, the studies of isothermal section of Al-Si-Gd (0-33.33at%) metallograph at room temperature and structure of Al-Si-Gd intermediate compounds are carried out, using X-ray diffraction method, metallographic examination and EMPA, It is of theoretical significance to understand the functional mechanism when rare earth element Gd is added in A1-Si-Alloys.

关 键 词：稀土 三元系 合金 相图 相结构 

分 类 号：TG146.21[一般工业技术—材料科学与工程]