单晶硅化学气相沉积反应器流场初探  

Elementary Analysis on the Flow in Single-Wafer Silicon CVD Reactor

作　　者：王亲猛[1] 刘赵淼[1] 罗木昌[2] 

机构地区：[1]北京工业大学机械工程与应用电子技术学院,北京100022 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《北京工业大学学报》2001年第4期483-485,共3页Journal of Beijing University of Technology

摘　　要：对单晶硅化学气相沉积（ＣＶＤ）反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析．通过数值求解三维层流 Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程，研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏．结果表明，由于存在浮力效应，轴对称 几何体中也会发生非轴对称流场分布，从而影响单晶硅的均匀生长．Flow pattern in single-wafer silicon CVD reactors during the process of vapour deposition is tentatively studied through the numerical solution of the 3-D laminar Navier-Stokes equations. The research indicates that Non-axisymmetric flows may occur in the axi-symmetric solid owing to buoyancy effects alone.

关 键 词：单晶硅 化学气相沉积反应器 流场 浮力效应 对称性破坏 数值模拟 晶体生长 

分 类 号：TQ052.5[化学工程] O782[理学—晶体学]