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机构地区:[1]上海交通大学应用化学系
出 处:《上海交通大学学报》1991年第5期58-64,共7页Journal of Shanghai Jiaotong University
基 金:国家自然科学基金资助课题
摘 要:本文应用电位阶跃法研究了光照下n-InP/(Fe^(2+),Fe^(3+))界面的电流暂态响应.根据半导体电极在光照下的等效电路,推导了电流衰减的理论模型,得到了两种衰减形式,观察了电极电位、光强及光照时间对电流衰减的影响,实验结果证实了理论模型.The potoelectrochemical current transient response at the interface of n-InP/el,was studied with the method of potential step.According to the equivalent circuit of the semiconducting electrode under irradiation,a theoratical model of the decay of current was derived and two decay modes vere obtained.The influences of electrode potential,light intensity and irradiation duration on the decay of the current were observed.The results of the experiments confirm the theoratical model
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